一种碳化硅肖特基势垒二极管及其制作方法

摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种碳化硅肖特基势垒二极管及其制作方法。本发明所述的一种碳化硅肖特基势垒二极管，包括依次层叠设置的阴极电极、N+衬底、N-漂移区、P+层和阳极电极，其特征在于，所述P+层上有多个有固定间距的凹槽，所述阳极电极填充在凹槽内。本发明的有益效果为，降低了生成碳化硅肖特基势垒二极管工艺的难度，提高了器件的性能和成品率，同时由于具有P+层，高压时能产生电导调制效应，从而具有大的抗浪涌能力。本发明尤其适用于碳化硅肖特基势垒二极管。