机译:多功能扫描探针显微镜测定保护环内碳化硅肖特基势垒二极管
Chiba Inst Technol Grad Sch Engn Narashino Chiba 2750016 Japan;
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Chiba Inst Technol Grad Sch Engn Narashino Chiba 2750016 Japan|Chiba Inst Technol Fac Engn Narashino Chiba 2750016 Japan;
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机译:使用原子力显微镜/开尔文探针力显微镜/扫描电容力显微镜观察施加反向偏压下的碳化硅肖特基势垒二极管
机译:使用p / sup +/-多晶硅扩散保护环的高击穿电压肖特基势垒二极管
机译:通过结合保护环辅助场限制环和内部环来改善SiC肖特基势垒二极管的击穿电压特性
机译:硅肖特基势垒二极管的表面电势和耗尽层研究—扫描探针显微镜评估
机译:在硅衬底上生长的异质外延3C碳化硅上的肖特基势垒二极管的电学特性。
机译:氢等离子体表面处理和AlxOx保护环结构增强AZO / Si肖特基势垒二极管的电特性
机译:SiC肖特基势垒二极管击穿特性金属防护环的影响