基于SiGe BiCMOS的宽带射频芯片静电保护电路

摘要

本发明公开了一种基于SiGe BiCMOS的宽带射频芯片静电保护电路，主要解决现有技术占用面积大及引入寄生电容大的缺点。其包括位于宽带射频输入输出端口的两个集成衬底静电放电二极管D1、D3和位于宽带射频输入输出端口的两个集成N阱静电放电二极管D2、D4。该四个静电放电二极管D1、D2、D3、D4的阴阳极掺杂区及金属接触条均采用梯型叉指结构，外围填充有多晶硅材料以进行自身隔离，且二极管D2、D4的下方设有N型埋层和N型外延层，以减小寄生效应。本发明电路具有结构简单，面积小，寄生电容小，且不增加额外工艺成本的优点，可应用于宽带射频芯片I/O口的静电防护中。