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半导体存储装置和用于控制半导体存储装置的方法

摘要

基于对于闪存的每个存储区域的劣化程度和读取频率,对于每个存储区域计算可靠性维持期;并且基于所计算的可靠性维持期,在每个存储区域上以计划的方式执行刷新。配置一种半导体存储装置100A,使得闪存120至128和存储器控制器110连接,并且闪存120至128包括多个作为存储区域的区块;并且存储器控制器110对于多个区块的每一个,管理区块的劣化程度和读取频率;基于所管理的区块的劣化程度和读取频率,获得存储在区块中的数据的可靠性维持期;并且基于所获得的可靠性维持期,通过将存储在区块中的数据新存储在另一个区块中,执行用于纠正有关数据的故障比特的刷新。

著录项

  • 公开/公告号CN103392208A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-11-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社日立制作所;

    申请/专利号CN201180068074.3

  • 发明设计人 铃木彬史;常广隆司;

    申请日2011-04-28

  • 分类号G11C16/34(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2024-02-19 21:05:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-07-06

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11C16/34 申请公布日:20131113 申请日:20110428

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-12-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/34 申请日:20110428

    实质审查的生效

  • 2013-11-13

    公开

    公开

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