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硒化钒薄膜作背接触层的CdTe太阳电池

摘要

本发明是为了消除CdTe电池中铜或含铜背接触层材料的缺陷,避免铜的扩散对CdTe太阳电池性能产生不良影响。采用一种不含铜的硒化钒材料,添加在CdTe太阳电池基本结构的吸收层与金属背电极之间,作为CdTe太阳电池的背接触层。可实现CdTe太阳电池的欧姆接触,并使太阳电池的耗尽区变宽,界面复合降低,旁路电阻增大,填充因子提高,转换效率提高。由于本发明中未使用铜这样的受主掺杂剂,因此,电池在长期使用或存放后未见衰降,器件稳定性良好。

著录项

  • 公开/公告号CN102244110B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-09-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川大学;

    申请/专利号CN201110172479.3

  • 申请日2011-06-24

  • 分类号H01L31/0224(20060101);H01L31/073(20120101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610064 四川省成都市武侯区九眼桥望江路29号

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-07

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/0224 授权公告日:20120905 终止日期:20180624 申请日:20110624

    专利权的终止

  • 2012-09-05

    授权

    授权

  • 2012-09-05

    授权

    授权

  • 2012-02-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0224 申请日:20110624

    实质审查的生效

  • 2012-02-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20110624

    实质审查的生效

  • 2011-11-16

    公开

    公开

  • 2011-11-16

    公开

    公开

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