一种化学氧化法制作异质结单晶硅薄膜太阳能电池

摘要

目前异质结单晶硅薄膜太阳电池皆于清洗制绒后，进入等离子增强式化学气相沉积设备直接制备钝化层，而因需双面镀膜，故当待镀面于背面时，将与载台接触而造成污染，本发明即为提供一种化学溶液氧化工艺于硅片进入等离子增强式化学气相沉积设备前先将硅片待镀面表面产生一层氧化层，如此可避免于待镀面置于载台所造成不必要的污染，进而提升转换效率。