纳米硅/单晶硅异质结二极管的电学特性

摘要

利用高真空 PECVD系统在 p型单晶硅上沉积掺磷 n型纳米硅薄层 (nc-Si:H)，形成纳米硅 /单晶硅 Np异质结二极管 ,通过 C-V和 J-V测试研究了二极管的电学性质。 C-V特性指出该异质结为突变型。 J-V特性表明二极管具有很好的温度稳定性和整流特性。正偏压时二极管存在两种输运机制：小偏压时（ 1.0V）时电输运符合电荷限制电流（ SCLC）模型。负偏压时电流主要来自空间电荷区中的产生电流。