大尺寸15R 碳化硅晶体的制备方法

摘要

本发明涉及一种大尺寸15R碳化硅晶体的制备方法，包括：将已填充含碳和硅的原料并已粘结或固定籽晶的坩埚放入晶体生长炉，其中所述籽晶相与所述原料隔开一定距离；对所述晶体生长炉进行抽真空，待真空度小于10-3Pa后，往炉内充入预定量的惰性气体；提高所述晶体生长炉的温度，控制填充所述原料的原料区具有2200～2600℃的温度，并控制粘结或固定籽晶处具有1700～2150℃的温度；将晶体生长炉的气压控制在102～7×103Pa的范围内，开始生长15R碳化硅晶体；以及生长48～200小时后，关闭电源或以设定的降温速率降低晶体生长炉温度，待冷却至室温得到所述大尺寸15R碳化硅体单晶。