机译:竞争晶格模型蒙特卡洛方法,用于模拟密堆积晶体中不同多型的竞争生长:4H和6H碳化硅
机译:Pd SiC 4H,6H和15R多型的欧姆接触
机译:铝掺杂的4H和6H多晶碳化硅半导体中的自旋晶格弛豫
机译:使用Laue方法识别4H,6H和15R聚碳化硅的4H,6H和15R聚晶体的{1010}面
机译:4H碳化硅外延膜中的薄多型夹杂物以及碳化硅的碳氢振动中心的同位素和非谐效应。
机译:碳化硅中自旋量子位的多型控制
机译:声子热传输首先在2H,4H和6H碳化硅中 原则
机译:导电带6H和15R碳化硅 - II吸收测量