用于沉积碳化硅和碳氮化硅膜的设备和方法

摘要

本发明提供用于在基板表面上沉积碳化硅膜的方法。该方法包括使用气相碳硅烷前体，且该方法可使用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可在小于600℃的温度下实施，例如介于约23℃与约200℃之间或在约100℃下。然后，可致密化该碳化硅层，以去除氢含量。另外，可将该碳化硅层暴露于氮源，以提供反应性N-H基团，然后该N-H基团可用来使用其他方法继续膜沉积。等离子体处理条件可用来调整膜的碳、氢和/或氮含量。