用于将转换介质施加到光电子半导体芯片上的方法以及光电子器件

摘要

在方法的至少一个实施方式中，所述方法用于将转换介质（3）施加到光电子半导体芯片（2）上。所述方法包括下述步骤：提供光电子半导体芯片（2）；提供所述转换介质（3），其中所述转换介质（2）安置在载体（4）上；设置所述转换介质（3），使得其具有到所述半导体芯片（2）>0的距离（D）；以及借助于用脉冲激光辐射（6）辐射和加热所述转换介质（3）的吸收组分（36）和/或位于所述转换介质（3）和所述载体（4）之间的剥离层（56），使所述转换介质（3）从所述载体（4）处剥离并且将其施加到所述半导体芯片（2）上，所述脉冲激光辐射穿过所述载体（4）。

说明书

技术领域

本发明提出了一种用于将转换介质施加到光电子器件的光电子半导 体芯片上的方法。此外还提出了一种相应的光电子器件。

发明内容

一个待实现的目的在于，提出一种方法，借助所述方法可将转换介 质以相应于可预设的色坐标的总厚度施加到光电子半导体芯片上，以及 提出一种借助所述方法制造的光电子器件。

根据所述方法的至少一个实施方式，所述方法用于将转换介质施加 到光电子半导体芯片上。转换介质包括转换剂，所述转换剂设立用于使 由光电子半导体芯片发射的辐射部分地或完全地转换为其它波长的辐 射。例如转换介质具有基体材料，转换剂被嵌入到所述基体材料中。基 体材料优选是聚合物或用于聚合物的至少一种原材料。转换剂包括或者 尤其由掺杂有稀土的石榴石，如Ce:YAG或Eu:YAG构成。半导体芯片 优选是发光二极管。

根据所述方法的至少一个实施方式，所述方法包括提供光电子半导 体芯片的步骤，其中所述半导体芯片具有辐射主面。所述辐射主面是半 导体芯片的这样的分界面，即经由所述分界面，在所述半导体芯片中所 产生的辐射大部分离开所述半导体芯片。大部分尤其意味着多于50%的 份额或多于75%的份额。辐射主面优选定向为垂直于例如以外延的方式 制造的半导体芯片的生长方向。半导体芯片能够安置在芯片衬底上，其 中芯片衬底能够是半导体芯片的生长衬底或与生长衬底不同的载体衬 底。辐射主面优选背离于芯片衬底。

根据所述方法的至少一个实施方式，所述方法包括提供转换介质的 步骤。转换介质在至少一个层上至少间接地安置在载体的载体主面上。 载体能够是机械柔性的或机械刚性的。载体在紫外和/或在可见光中的 至少一个光谱部分范围中是透明的。

根据所述方法的至少一个实施方式，所述方法具有设置转换介质的 步骤。转换介质设置在载体上，使得所述转换介质朝向半导体芯片的辐 射主面。换句话说，转换介质的层位于辐射主面和载体之间。在转换介 质和辐射主面之间的区域能够被抽真空或填充有气体。转换介质的层优 选设立为，使得转换介质朝向辐射主面的转换介质主面定向为平行于半 导体芯片的辐射主面。辐射主面的法向量优选垂直向上，例如具有至多 15°的公差，而转换介质主面的法向量垂直向下。在这种情况下，垂直 向上意味着与重力的方向相反，而向下意味着朝向重力的方向。

根据所述方法的至少一个实施方式，所述方法包括将转换介质从载 体上剥离的步骤。所述剥离通过加热转换介质的吸收组分和/或通过加 热位于转换介质和载体之间的剥离层来实现。通过加热，吸收组分或转 换介质的直接包围所述吸收组分的区域或剥离层的剥离材料至少部分 地转化为气相。所述转化为气相的材料靠近载体并且因此位于转换介质 背离半导体芯片的侧的辐射主面中的一个上。通过转化为气相，实现了 体积的增大，因此转换介质从载体上被剥离。所述剥离尤其在定向为垂 直于载体主面的方向上进行，例如具有至多30°的公差或至多15°的公 差。通过定向的剥离，转换介质能够被施加到辐射主面上。

根据所述方法的至少一个实施方式，转换介质的吸收组分与转换剂 不同。所述转换介质的吸收组分尤其对波长转换不起作用。所述吸收组 分优选不吸收或基本上不吸收由半导体芯片和/或转换介质在工作时所 产生的辐射。

根据所述方法的至少一个实施方式，转换介质的剥离以及施加借助 脉冲激光辐射来实现。激光辐射穿透载体，所述载体构成为对于激光辐 射透明。透明意味着，载体例如吸收小于10%或小于1%的激光辐射。 激光辐射被吸收组分或剥离层吸收，因此实现了对吸收组分和剥离层的 加热。激光辐射优选具有波长，所述波长小于半导体芯片在工作时所发 射的辐射的波长。

根据所述方法的至少一个实施方式，辐射主面在剥离和施加转换介 质期间与转换介质主面有一定的距离。换句话说，转换介质和辐射主面 不接触。

在所述方法的至少一个实施方式中，所述方法用于将转换介质施加 到光电子半导体芯片上。所述方法至少包括下述步骤，特别是以给定的 顺序：

-提供具有辐射主面的光电子半导体芯片；

-提供转换介质，其中将所述转换介质安置在载体的载体主面上；

-设置转换介质，使得转换介质朝向辐射主面，并且使其与辐射主面具 有>0的距离；以及

-借助于用脉冲激光辐射来辐射和加热转换介质的吸收组分和/或位于 转换介质和载体之间的剥离层，使转换介质从载体上剥离并将其施加到 辐射主面上，所述脉冲激光辐射穿透载体。

借助于这样的方法可将转换介质逐层地以多个连续的层施加到半导 体芯片的辐射主面上。通过层的数量可设置施加到半导体芯片上的转换 介质的厚度，因此也可以目标明确地设置由半导体芯片连同转换介质一 起在工作时所产生的辐射的色坐标。

根据所述方法的至少一个实施方式，作为基体材料的转换介质具有 硅酮、环氧树脂和/或硅酮-环氧树脂-混杂材料或者由其制成。在基体材 料中优选嵌入颗粒状的转换剂。

根据所述方法的至少一个实施方式，在载体上的转换介质的基体材 料不完全地交联和/或不完全地硬化。换句话说，载体上的基体材料的 硬度例如可通过照射或热作用而提高。此外，基体材料的完全硬化和/ 或交联在将其施加到半导体芯片上之后才实现。由于基体材料以不完全 地交联和/或硬化的方式施加到半导体芯片上，所以可相互实现转换介 质与半导体芯片和所述半导体芯片上的转换介质的层的机械上可靠的 连接。

根据所述方法的至少一个实施方式，将转换介质一个接一个地以多 个连续的层施加到半导体芯片上。被施加到半导体芯片上的各个层能够 具有厚度，所述厚度相当于载体上的转换介质层的层厚度，例如具有至 多30%的公差或至多15%的公差。可能的是，转换介质的一小部分在 剥离时留在载体上。因此，所述层中的每个是从载体上的转换介质层上 剥离下来的部分区域。与各个层的中央区域相比，在相邻的层之间的边 界区域中，来自剥离层的吸收组分或吸收材料尤其具有变化的浓度。

根据所述方法的至少一个实施方式，在施加所述层中的至少一个之 后，确定由半导体芯片连同已经施加到半导体芯片上的转换介质一起发 射的辐射的色坐标。这例如通过短时地电驱动半导体芯片或者通过用外 部光源激励已经施加的转换介质来实现。

根据所述方法的至少一个实施方式，根据已确定的色坐标，将转换 介质的一个或多个层施加到半导体芯片上。因此在载体上的转换介质层 中转换剂的浓度的波动或者转换介质层的厚度波动是可补偿的，并且能 够以高精度来调节的已制成的半导体芯片的色坐标。

根据所述方法的至少一个实施方式，在载体和载体上的转换介质层 之间的剥离层具有剥离材料，所述剥离材料通过激光辐射在剥离转换介 质时至少部分地转化为气相。此外，转化为气相的剥离材料至少部分地 沉积在半导体芯片上的转换介质上，并且/或者储存在半导体芯片上的 转换介质中。换句话说，来自剥离层的剥离材料成为半导体芯片上的转 换介质的组分。特别地，剥离材料嵌入半导体芯片上的转换介质的两个 连续的层之间的边界区域中。

根据所述方法的至少一个实施方式，激光辐射具有至多410nm的波 长，特别是至多370nm的波长并且位于紫外光谱范围中。激光辐射的 波长尤其为至少220nm。剥离层和/或剥离层的剥离材料和/或转换介质 的吸收组分在激光辐射的波长中起吸收的作用。剥离层或转换介质的吸 收组分可通过激光辐射加热或者可热分解或光化学分解。

根据所述方法的至少一个实施方式，在载体和转换介质之间的剥离 层包含塑料或聚合物或者由上述材料制成。剥离层特别是包含ZnO或 由ZnO制成。ZnO在低于大约365nm至387nm的波长的情况下吸收。 因此，ZnO的分解能够通过三倍频率的355nm的Nd:YAG激光来实现。 在分解ZnO时尤其产生金属锌，所述金属锌在分解时能够细密地分布。 释放氧气，能够将所述锌氧化为ZnO并且由此再次成为透明或半透明 的。同样可能的是，锌与转换介质的组分，例如与硅酮起反应。此外， 载体上的ZnO能够通过简称为PVD或CVD的物理或化学的气相沉积 沉积在薄层中。

根据所述方法的至少一个实施方式，剥离层具有在10nm和75nm 之间的包括边界值的厚度，特别是在20nm和50nm之间，包括边界值。 剥离层对于激光辐射的光学密度为至少0.5或至少0.65。剥离层的光学 密度尤其位于0.75和1.0之间，包括边界值，或位于1.50和4.0之间， 包括边界值。可替代地或附加地，剥离层的光学密度为至少2.0。

换句话说，在一种情况下，剥离层能够穿过激光辐射的较大部分。 由此确保了剥离层的完全的剥离或近乎完全的剥离或蒸发。替选于此可 能的是，剥离层完全地或基本上完全地吸收激光辐射，以至于没有激光 辐射或基本上没有激光辐射到达转换介质。因此能够保护转换介质并且 尤其是转换剂免于激光辐射，其中在这种情况下，剥离层的部分区域能 够留在被施加在半导体芯片上的转换介质上。

根据所述方法的至少一个实施方式，在载体主面上的转换介质的由 激光辐射所辐射的区域构成为直线形。从载体主面的俯视图中看，在转 换介质上的激光辐射的长度和宽度的比率例如为至少5或至少10或至 少20。

根据所述方法的至少一个实施方式，将转换介质成行地施加在辐射 主面上。辐射主面上的转换介质因此优选由多个单独地相继施加的条形 成。

根据所述方法的至少一个实施方式，具有半导体芯片的横向延展部 的至多25%或至多10%的公差的、在载体主面上的由激光辐射所辐射 的区域具有半导体芯片的辐射主面的形状。被辐射的区域以及辐射主面 因此近似一致。因此可能的是，通过激光辐射的单独的脉冲来覆盖整个 辐射主面与转换介质的一个单独的特别是不间断的层。

此外还提出了一种具有光电子半导体芯片和施加在所述光电子半导 体芯片上的转换介质的光电子器件。所述器件例如借助于一种方法来制 造，如结合上述实施方式中的一个或多个所说明的。因此，光电子器件 的特征也对在这里所说明的方法公开，并且反之亦然。

根据所述光电子器件的至少一个实施方式，转换介质具有附加组分， 所述附加组分对于半导体芯片在工作时所产生的辐射不起吸收的作用。 附加组分特别是吸收组分和/或吸收材料。附加组分在至少位于220nm 和410nm之间包括边界值的波长范围中是吸收的，并且特别是在位于 420nm和490nm之间包括边界值的波长范围中是可辐射穿透和/或反射 的，其中在位于420nm和490nm之间包括边界值的波长范围中半导体 芯片优选在工作时产生辐射。

根据所述器件的至少一个实施方式，所述器件具有在辐射主面上的 至少两个连续的并且至少部分重叠的、优选同类的层。重叠意味着，转 换介质层中的至少两个在垂直于辐射主面的方向上相互重叠。所述层优 选彼此直接接触。所述层是同类的能够意味着，转换介质在层中分别具 有相同的平均成分。

根据所述器件的至少一个实施方式，在两个相邻的层之间的边界区 域中的附加组分的浓度，与所述层的核心区域相比，相应地改变。在核 心区域内部，附加组分的浓度相应地近似恒定。边界区域具有比核心区 域更小的平均厚度，例如核心区域的平均厚度是边界区域的平均厚度的 至少2倍或至少5倍或至少15倍。换句话说，相邻的层通过附加组分 的浓度变化而相互隔开。在穿过层的垂直于辐射主面的剖面图中，附加 组分的浓度分布曲线周期性地重复，其中周期长度优选由层的厚度给 定。

在所述光电子器件的至少一个实施方式中，所述光电子器件包括具 有辐射主面的光电子半导体芯片。此外，所述器件还包含转换介质，所 述转换介质以至少两个连续的和至少部分重叠的、同类的层施加到辐射 主面上。转换介质具有附加组分，所述附加组分对半导体芯片在工作时 所产生的辐射不起吸收的作用。从远离辐射主面的方向上看，在两个相 邻的层的边界区域中，与所述层的核心区域相比，附加组分的浓度相应 地变化。

根据所述器件的至少一个实施方式，各个层分别具有为至少1μm或 至少2μm的平均厚度。可替代地或附加地，所述层的平均厚度为至多 15μm或至多10μm或至多8μm或至多6μm。

根据所述器件的至少一个实施方式，在辐射主面上的包含多个层的 转换介质具有总计至少15μm或至少40μm的平均厚度。可替代地或附 加地，转换介质的平均厚度为至多200μm或至多150μm或至多100μm。

根据所述器件的至少一个实施方式，在相邻的层之间的边界区域具 有位于10nm和500nm之间包括边界值的平均厚度，特别是位于15nm 和250nm之间，包括边界值，或者位于20nm和100nm之间，包括 边界值。因此，与层的核心区域相比，层的边界区域相对较薄。

根据所述器件的至少一个实施方式，在边界区域中，附加组分的浓 度与核心区域相比被提高。替选地可能的是，降低在核心区域中的附加 组分的浓度。

根据所述器件的至少一个实施方式，在边界区域中，附加组分的浓 度在远离辐射主面的方向上具有S型的延伸。因此，附加组分的浓度在 边界区域中首先下降并且随后再次上升，或者反之亦然。

根据所述器件的至少一个实施方式，转换介质层中的至少两个既在 横向方向上也在垂直于辐射主面的方向上重叠。所述层中的至少一个能 够具有一个凸状弯曲的、背离辐射主面的分界面。换句话说，所述层中 的至少一个类似于凸透镜地成型在背离辐射主面的分界面中的一个上。

附图说明

下面根据实施例参考附图详细阐述在这里所说明的光电子器件以及 在这里所说明的方法。在此，相同的附图标记指定在各个附图中的相同 的元件。然而在此，关系不按比例地示出，相反，为了更好的理解，能 够夸张大地示出各个元件。

附图示出：

图1至3示出用于制造在这里所说明的光电子器件的在这里所说明 的方法的实施例的示意图；

图4至5示出在这里所说明的光电子器件的实施例的示意剖视图； 以及

图6至8示出在这里所说明的光电子器件的转换介质中的附加组分 的浓度分布曲线的示意图。

具体实施方式

在图1中图解示出用于制造光电子器件1的方法的实施例的示意剖 视图。根据图1A，芯片衬底8提供有多个位于其上的光电子半导体芯 片2，特别是在工作时在蓝色光谱范围中发光的发光二极管。此外，机 械刚性的载体4提供有载体主面40。在图中未示出载体4的电连接机构。 在载体主面40上存在有转换介质层3。转换介质主面30朝向半导体芯 片2的辐射主面20。在转换介质3和半导体芯片2之间的距离D尤其 位于1μm和500μm之间，包括边界值，优选位于2μm和50μm之间， 包括边界值，或者位于5μm和50μm之间，包括边界值。在转换介质3 和半导体芯片2之间的空间能够用如氮气或空气的气体填充，或者也能 够被抽真空。

根据图1B，转换介质3的区域被激光辐射6辐射。激光辐射6是脉 冲激光辐射，尤其为具有至多50ns或至多10ns脉冲持续时间的脉冲激 光辐射。激光辐射6穿过对于所述激光辐射6而言透明的载体4。通过 激光辐射6加热在图1中未示出、由转换介质3所包含的吸收组分。因 此，通过吸收激光辐射6，借助于吸收组分，转换介质3部分地转化为 气相，因此转换介质3的被辐射的区域从载体4上被剥离。

载体4例如是机械刚性的、由石英玻璃制成的板。激光辐射6尤其 由准分子激光产生并且能够具有大约248nm的波长。激光辐射6的能 量密度例如位于0.2J/cm²和5J/cm²之间，包括边界值。转换介质3的 被辐射的区域具有半导体芯片2的辐射主面20的轮廓。如在图1C中所 示出的，从载体4上的转换介质层3上剥离下来一部分3，其被直接施 加到辐射主面20上，并且在那里构成转换介质层7，参见图1D。

根据图1E和图1F，将转换介质3的另一层7施加到半导体芯片2 上。从辐射主面20的俯视图中看，这两个层7彼此直接接触并且重叠。 根据图1E和1F所施加的层7特别是根据图1A至1D所施加的相同的 转换介质3。替选地同样可能的是，所述层是另一种转换介质，所述另 一种转换介质例如被设立为用于辐射具有另一波长范围的辐射。

在所述两个层7的施加之间，能够可选地短暂驱动半导体芯片2， 以确定在工作时所发射的辐射的色坐标。根据所确定的色坐标尤其可以 设置其它的待施加的层的数量。

载体4上的转换介质3优选具有如硅酮的基体材料，所述基体材料 存在于载体4上并且在施加到半导体芯片2上期间仍处于不完全地硬化 和/或交联的状态。根据图1G，施加到半导体芯片2上的转换介质3， 即所有的层7一起完全地交联或硬化。因此，仅当转换介质3的所有的 层7都施加在半导体芯片2上，以至于所述层7也彼此连接并且与半导 体芯片2连接时，才实现所述完全的交联和/或硬化。硬化和/或交联能 够通过热作用、辐射或与气态的固化剂的接触来实现。

不同于所示出的，可能的是，将仅半导体芯片2中的唯一的一个施 加在载体8上，或者多个半导体芯片2在横向方向上直接彼此碰撞。可 选地，芯片衬底8能够被分为具有各一个半导体芯片2的部分。

在根据图2的实施例中在转换介质3和载体4之间存在有剥离层5。 所述剥离层5吸收激光辐射6。来自剥离层5的剥离材料56部分地或完 全地转化为气相。由于由此产生的体积增大，转换介质3的一部分从剥 离层5以及从载体4处被剥离，并且在朝向半导体芯片2的辐射主面20 的方向上移动。

从载体4的俯视图中看，激光辐射6照射转换介质条3，参见根据 图2C的俯视图。各个层7成形为条。此外，参见图2B，将各个层7在 时间上相继地并且在空间上并排地施加到辐射主面20上。将转换介质3 从载体4处剥离为各个条，同样能够在根据图1的方法的情况下来进行， 而不需要使用剥离层。

不同于图1和2中的是，载体4在根据图3的所述方法的实施例中 是柔性的载体，例如对于激光辐射6而言透明的塑料薄膜。激光辐射6 例如由YAG激光产生并且具有大约355nm的波长。在这种情况下可能 的是，载体4具有朝向半导体芯片2的弯曲的面。因此，在转换介质3 和半导体芯片2之间的距离D在跨越载体4时变化。

可选地，在转换介质3和半导体芯片2之间安置有遮光板9。经由 具有用于转换介质3的被激光辐射6剥离的区域的开口的遮光板9可能 的是，挡住并阻碍剥离层5的转化为气相的剥离材料的一部分，使得剥 离材料的所述部分到达半导体芯片2并且储存在半导体芯片2上的转换 介质3中。

在图4A至4C中示出了光电子器件1的实施例的剖视图。根据图 4A，在辐射主面20上施加有多个层7a，7b，7c，所述层近似一致地相 互重叠并且构成半导体芯片2上的转换介质3。各个层7a，7b，7c的厚 度T7例如位于2μm和5μm之间，包括边界值。转换介质3的总厚度 T3例如位于15μm和200μm之间，包括边界值。在图4中，层7a，7b， 7c的数量仅分别示意性地示出。辐射主面20上的转换介质3例如包含 位于两个层和50个层之间的层，包括边界值，特别是位于三个和层25 个层之间的层，包括边界值，或者在十个层和25个层之间的层，包括 边界值。

在所述器件1的根据图4B的实施例中，层7a，7b，7c既在辐射主 面20之上延伸也在半导体芯片2的横向分界面之上延伸。因此，半导 体芯片2被芯片衬底8以及转换介质3完全地或基本上完全地包围。根 据图4A和4B，层7a，7b，7c分别是连续的层，所述连续的层在整个 辐射主面20之上延伸。而在图4C中示出，各个层7a，7b，7c能够构 成为不连贯的，并且互相穿透和/或重叠。因此，所述层的这样的构造 能够是下述情况，即如果将载体4上的转换介质3的被辐射的区域在从 载体4到辐射主面20的路径上划分成块，并且使其不作为连贯的层射 到辐射主面20上，或者在射到辐射主面20上时分解为多个部分。

在图5A和5B中示出了所述器件1的实施例，其中参见图2C，将 各个层7以条形的方式施加。根据图5A，各个层7在横向方向上仅略 微重叠，并且在垂直于辐射主面20的方向上有规律地相互堆叠。所述 层7的至少一些的背离于半导体芯片2的边界面78具有凸出的形状。

根据图5B，呈条状的层7a，7b，7c在横向上彼此错位地设置。例 如，位于层中的层7a彼此间分别具有横向距离。层7a之间的空隙通过 层7b来封闭，层7b之间的空隙通过层7c来封闭等等。

在图6A中图解示出了所述器件1的另一实施例，并且在图7B中图 解示出来自剥离层5的剥离材料56的浓度的分布曲线。根据图6A的器 件1借助根据图2的方法在使用剥离层5的情况下制成。在具有厚度 T6的边界区域70中，来自剥离层5的剥离材料56的浓度c或通过来 自剥离层5的激光辐射6的分解产物的浓度c被提高。在中央区域75 中，不存在或基本上不存在剥离材料56。因此，各个层7分别具有剥离 材料56的浓度c的可比的分布曲线。因此，沿着垂直于辐射主面20的 方向z的所述浓度分布曲线c周期性地具有与层7的厚度T7相符的周 期长度。层的厚度T7总体上明显大于仅边界区域70的厚度T6。

在图7中图解示出了在例如根据图1的方法中的不具有剥离层直接 在载体4上的转换介质3。所述转换介质3具有基体材料，转换剂颗粒 33和吸收组分36的颗粒均匀地分布在所述基体材料中。所述吸收组分 36具有对于在半导体芯片2中在工作时所产生的辐射优选至多20%或 10%或5%的吸收系数。也能够在如具有剥离层的图2中的方法可选地 为转换介质3增加这样的吸收组分36，以保护转换剂颗粒33免于激光 辐射6。

转换剂颗粒33例如是直径在1μm和5μm之间、包括边界值的 Ce:YAG颗粒或者是直径在1nm和100nm之间、包括边界值的纳米颗 粒，所述转换剂颗粒例如通过或由硒化锌形成。

吸收组分36优选具有较高的颗粒密度。由于吸收组分36，转换介 质3优选具有对于激光辐射6而言的高的光学密度，使得激光辐射6在 靠近载体主面40的薄的区域中完全地或近似完全地被吸收。所述区域 例如具有位于20nm和200nm之间包括边界值的厚度。因此，激光辐射 6有效地保持远离转换剂颗粒33。

也如在所有的其它实施例中一样，吸收组分36例如包含氧化锌或简 称ZnO或者由其构成，所述ZnO具有在大约3.2eV至3.4eV的范围中 的能带隙。如果所述吸收组分36是颗粒状的，那么所述颗粒优选具有 至多100nm的、特别是位于5nm至20nm之间的包括边界值的平均直 径。转换介质3上的吸收组分36的重量百分比优选位于5重量百分比 和35重量百分比之间，包括边界值，特别是位于10重量百分比和20 重量百分比之间，包括边界值。

在图8中示出沿着远离辐射主面20的z方向的附加组分的浓度c的 其它分布曲线。也参见图6B，所有的浓度分布曲线对于各个层而言具 有重复的、周期性的延伸。也参见图7，在图8中所示出的浓度分布曲 线尤其能够在根据图1的不使用吸收层的方法中产生。

根据图8A，在边界区域70中的附加组分的浓度c相应地降低。所 述降低能够如下造成，即吸收组分36通过激光辐射被分解或作为转换 介质3的基体材料更多地转化为气相。

根据图8B，在边界区域70中的吸收组分36的浓度c被提高。这尤 其能够在下述情况下才发生，即如果吸收组分36吸收激光辐射6，就转 换为热，并且将所述热传递给基体材料。紧接着，基体材料基本上蒸发， 并且吸收组分36不蒸发或较少程度地蒸发。因此，在将转换介质3转 移到半导体芯片2上时，会丢失转换介质3的基体材料的一部分。

根据图8C，在边界区域70中的吸收组分36的浓度c具有S形的分 布曲线。这样的分布曲线在下述情况下才出现，即如果吸收组分36在 从载体4处剥离时相对强烈地蒸发，并且因此从转换介质3的层消失相 对高的份额，并且紧接着再次沉积在转换介质3上。

在这里所说明的发明不局限于基于所述实施例的说明。相反，本发明 包括每个新的特征以及特征的每个组合，这尤其包含权利要求中的特征的 每个组合，即使所述特征或所述组合本身没有在权利要求或实施例中明确 地说明。

本专利申请要求德国专利申请10 2010 044 985.7的优先权，所述德 国专利申请的公开内容通过参引的方式并入本文。