法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-14
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L29/739 授权公告日:20160413 终止日期:20180325 申请日:20130325
专利权的终止
2016-04-13
授权
授权
2014-05-14
著录事项变更 IPC(主分类):H01L29/739 变更前: 变更后: 申请日:20130325
著录事项变更
2014-03-19
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L29/739 变更前: 变更后: 登记生效日:20140221 申请日:20130325
专利申请权、专利权的转移
2013-08-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/739 申请日:20130325
实质审查的生效
2013-07-24
公开
公开
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机译: 制造具有沟槽型隔离层的半导体器件的方法,该绝缘层能够通过利用绝缘层填充护沟来去除护城河中的栅状材料的残留层
机译: 在场板沟槽晶体管中制造栅电极的方法包括回蚀所施加的掩模层以仅在凹口内提供残留的掩模层
机译: 制造在沟槽底部具有厚的多晶硅绝缘层的沟槽栅型MIS器件的方法