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增强灌电流并驱动电容负载的CMOS放大器

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摘要

一种增强灌电流并驱动电容负载的CMOS放大器，其中第一个射极跟随器双极晶体管连接到放大器的输出级，电路通过补偿此双极晶体管的基极-发射极电压V

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-08-12

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H03F3/45 申请公布日:20130619 申请日:20130206

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-07-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H03F3/45 申请日:20130206

实质审查的生效
2013-06-19

公开

公开

1. 增强灌电流并驱动电容负载的CMOS放大器 [P] . 中国专利： CN103166584A . 2013-06-19
2. 增强灌电流并驱动电容负载的CMOS放大器 [P] . 中国专利： CN203301430U . 2013.11.20
3. CMOS Amplifier having enhanced current sinking and capacitance load drive [P] . 美国专利： US4847566A . 1989-07-11

机译：具有增强的电流吸收和电容负载驱动的CMOS放大器
4. CMOS opamp with large sinking and sourcing currents and high slew rate [P] . 美国专利： US5325069A . 1994-06-28

机译： CMOS运算放大器，具有大的灌电流和灌电流以及高压摆率
5. CMOS class AB amplifier for driving capacitive and resistive loads [P] . 美国专利： US5504458A . 1996-04-02

机译： CMOS AB类放大器，用于驱动电容性和电阻性负载