高跨导高厄利(Early)电压模似(MOS)晶体管

摘要

高跨导高Ｅａｒｌｙ电压的Ｍｏｓ晶体管－－ＨＧＥＴ，属于一族新型半导体集成器件。它能在常规的ＭＯＳ工艺下制造出跨导为２０～４０ｍＶ，Ｅａｒｌｙ电压为４０～５０Ｖ的器件。这种器件放大器的电压增益可达５７ｄｂ，它的等效电路是由两个ＭＯＳ管和一个双极型晶体管复合构成，它的工艺简单，又能比普通的ＭＯＳ器件的芯片面积小β倍，用于模拟电路中即能获得高增益，又因互补作用，能灵活满足不同电路的设计要求。