公开/公告号CN103225108A
专利类型发明专利
公开/公告日2013-07-31
原文格式PDF
申请/专利权人 福建福晶科技股份有限公司;
申请/专利号CN201310115179.0
申请日2013-04-07
分类号C30B15/12;C30B29/22;
代理机构
代理人
地址 350002 福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园F区9号楼福晶科技园
入库时间 2024-02-19 18:53:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-04-06
授权
授权
2014-07-30
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/12 申请日:20130407
实质审查的生效
2013-07-31
公开
公开
技术领域
本发明设计晶体生长领域,特别是一种大尺寸BBO晶体快速生长的方法。
背景技术
低温相偏硼酸钡(β-BaB2O4)在非线性光学晶体中,是一种综合优势明显,性能良好的晶体,它有着极宽的透光范围,较大的相匹配角,较高的抗光损伤阈值、宽带的温度匹配以及优良的光学均匀性,广泛运用于Nd:YAG和Nd:YLF激光的二、三、四、五倍频,染料激光的倍频,三倍频和混频,Ti:Sappire和Alexandrite激光的二、三、四倍频,光学参量放大器(OPA)与光学参量振荡器(OPO),氩离子、红宝石和Cu蒸汽激光器的倍频等,特别是用于Nd:YAG激光器之三倍频有着广泛的应用。目前还未见有综合性能更好的材料取代它。
该晶体主要采用顶部籽晶法生长,利用氟化钠或氧化钠为助熔剂,采用缓慢降温方式生长,生长周期长达7~8个月。同时由于晶体生长后期晶体长至坩锅壁,晶转停止,晶体靠降温生长,过程中熔体主要为自然对流。该方法生长晶体具有生长速率低,生长周期长,风险大,成本高等特点。同时由于熔体流动有限,难于生长厚度很厚晶体,无法加工得到大尺寸器件。本发明采用双层坩埚设计,提高晶体生长速率和溶质在边界层的浓度梯度,从而缩短晶体生长周期,增加晶体厚度,得到大尺寸晶体。
发明内容
本发明的目的是提供一种大尺寸BBO晶体快速生长的方法,实现BBO晶体快速生长,降低生长周期,同时获得大尺寸BBO晶体。
本发明通过如下方式实现的:一种大尺寸BBO晶体快速生长的方法,采用碳酸钡和硼酸为主要原料,氟化钠或氧化钠为助熔剂,坩锅和熔盐炉为生长装置,所述坩埚为在外坩埚里面增置一个无底的内坩埚,通过对外锅熔体搅拌或通气,带动内锅熔体的流动,从而提高晶体生长速度和溶质浓度梯度,缩短晶体生长周期,得到大尺寸晶体毛坯。
本发明特点:采用双层坩锅设计,一方面,利用外坩埚熔体搅拌带动内坩埚熔体的流动,提高晶体生长速率和溶质浓度梯度;同时通过双层坩锅设计,增加熔体容积,有利于生长得到大尺寸晶体。
附图说明
图1为本发明所述坩埚的结构示意图,其中1为内坩埚、2为外坩埚、3为晶体、4为籽晶杆。
具体实施方式
实施例一:称取一定量的碳酸钡、硼酸和氟化钠,满足BaB2O4:NaF=2:1(摩尔比)于原料桶中混匀。将混好的料于1000℃的硅碳棒炉中熔解至反应完全。将熔好的料倒入坩锅内,置于熔盐炉中,升温至980℃,恒温18h,而后在饱和温度以上10℃下。将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢的下至熔液表面,4~10r/min转动,半小时之后降7℃,晶体开始生长,以后1~2℃/day降温,当晶体生长至坩锅壁时,停止晶转,开启外锅搅拌桨转动,转速10~30r/min,晶体开始2~5℃降温,生长4~5个月,停止降温,晶体出炉。
实施例二:称取一定量的碳酸钡、硼酸和氧化钠,满足BaB2O4:NaO=3.5:1(摩尔比)于原料桶中混匀。将混好的料于1000℃的硅碳棒炉中熔解至反应完全。将熔好的料倒入坩锅内,置于熔盐炉中,升温至980℃,恒温18h,而后在饱和温度以上10℃下。将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢的下至熔液表面,4~10r/min转动,半小时之后降7℃,晶体开始生长,以后1~2℃/day降温,当晶体生长至坩锅壁时,停止晶转,开启外锅搅拌桨转动,转速10~30r/min,晶体开始2~5℃降温,生长4~5个月,停止降温,晶体出炉。
机译: 硼酸钡β-BAB 2 Sub> O 4 Sub>(BBO)晶体的生长方法
机译: 可以更容易地测量晶体生长速度,并且可以有效地包括内部的晶体生长,这是一种测量方法,其内部的晶体生长是测量系统
机译: 含PB的β-BBO单晶的生长方法