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晶硅切割废弃料制备氮化硅复合碳化硅陶瓷的方法

摘要

本发明公开了属于陶瓷技术和二次资源综合利用技术领域的一种晶硅切割废弃料制备氮化硅复合碳化硅陶瓷的方法。本发明利用金刚石线切割晶硅的废弃物中的高纯Si粉和多丝线切割晶硅废料中易收集的SiC微粉,混合氮化反应常压烧结制备氮化硅结合碳化硅陶瓷。对于降低生产成本,二次资源利用,改善环境,控制产品质量,提高陶瓷制品的制成率具有很大作用,特别适合于作为低压铸造升液管用氮化硅结合碳化硅复合材料。

著录项

  • 公开/公告号CN103232245A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-08-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东北大学;

    申请/专利号CN201310139686.8

  • 发明设计人 罗绍华;耿桂宏;陈宇红;

    申请日2013-04-22

  • 分类号C04B35/565(20060101);C04B35/584(20060101);C04B35/622(20060101);

  • 代理机构11001 北京国林贸知识产权代理有限公司;

  • 代理人李富华

  • 地址 110004 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号

  • 入库时间 2024-02-19 18:53:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-09-02

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B35/565 申请公布日:20130807 申请日:20130422

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2013-09-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/565 申请日:20130422

    实质审查的生效

  • 2013-08-07

    公开

    公开

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