与CMOS工艺兼容的MEMS温度湿度集成传感器及其制造方法

摘要

与CMOS工艺兼容的MEMS温度湿度集成传感器及其制造方法。本发明提供一种温度湿度集成传感器，其包括基材、形成于基材上的绝缘层、形成于绝缘层上的下电极、形成于下电极上的中间湿度感知层以及形成于中间湿度感知层上的上电极，其中下电极采用由N型多晶硅/铝或者N型多晶硅/P型多晶硅形成的热电偶来测量温度。本发明的温湿度集成传感器，下电极采用Al和多晶硅形成热电偶，这是CMOS兼容工艺，可以与CMOS同时流通，制造方便。