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基于Cu膜退火的Si衬底上大面积石墨烯制备方法

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摘要

本发明公开了一种基于Cu膜退火的Si衬底上大面积石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯连续性不好、面积小的问题。本发明采用在4英寸～12英寸的Si衬底上先生长一层碳化层作为过渡；然后在温度为1100℃～1250℃，气源为C

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-04-01

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/205 申请公布日:20130703 申请日:20130312

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-07-31

实质审查的生效 IPC(主分类):C04B41/50 申请日:20130312

实质审查的生效
2013-07-03

公开

公开

1. 基于Cu膜退火的Si衬底上大面积石墨烯制备方法 [P] . 中国专利： CN103183523A . 2013-07-03
2. 基于Cu膜退火的Si衬底上侧栅石墨烯场效应管制作方法 [P] . 中国专利： CN103151265A . 2013-06-12
3. Process for preparing graphene on a SiC substrate based on metal film-assisted annealing [P] . 美国专利： US9691612B2 . 2017-06-27

机译：基于金属膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯的制备方法
4. METHOD FOR PREPARING GRAPHENE ON SIC SUBSTRATE BASED ON ANNEALING WITH ASSISTANT METAL FILM [P] . 世界知识产权组织专利： WO2013102359A1 . 2013-07-11

机译：基于辅助金属膜退火的SiC基体上石墨烯的制备方法
5. GRAPHENE-BASED STRUCTURE, METHOD OF SUSPENDING GRAPHENE MEMBRANE, AND METHOD OF DEPOSITING MATERIAL ONTO GRAPHENE MEMBRANE [P] . 美国专利： US2012183738A1 . 2012-07-19

机译：基于石墨烯的结构，悬浮石墨烯膜的方法以及将材料沉积到石墨烯膜上的方法