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莲房原花青素预防极低频电磁场致脑氧化应激损伤的用途

摘要

本发明公开了莲房原花青素预防极低频电磁场致脑氧化应激损伤的用途,涉及医药技术领域。本发明采用ICR小鼠进行动物实验,通过Morris水迷宫测定莲房原花青素对ELF-EMF致小鼠学习记忆、脑抗氧化酶系统、脂质过氧化产物、一氧化氮和一氧化氮合酶的含量或活性;通过研究ELF-EMF致体外培养的海马神经元细胞损伤模型,测定莲房原花青素对细胞生存率、形态和抗氧化酶、活性氧自由基含量以及一氧化氮和一氧化氮合酶含量的影响。结果证实,莲房原花青素对体内外ELF-EMF致脑氧化应激损伤导致学习记忆下降有显著的预防作用。

著录项

  • 公开/公告号CN103156839A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-06-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏大学;

    申请/专利号CN201310000900.1

  • 申请日2013-01-05

  • 分类号A61K31/353;A61P25/00;

  • 代理机构南京经纬专利商标代理有限公司;

  • 代理人楼高潮

  • 地址 212013 江苏省镇江市京口区学府路301号

  • 入库时间 2024-02-19 18:03:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-23

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):A61K31/353 申请公布日:20130619 申请日:20130105

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-07-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):A61K31/353 申请日:20130105

    实质审查的生效

  • 2013-06-19

    公开

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