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一种TiB2/Si-Al电子封装复合材料及制备方法

摘要

本发明提供了一种TiB2/Si-Al复合材料的制备方法,属于电子封装材料制备技术领域。工艺过程包括配制混合盐、熔炼(60~70)wt%Si-Al合金、熔铸-原位合成TiB2颗粒、喷射沉积成形TiB2/Si-Al复合材料和TiB2/Si-Al复合材料热等静压五个阶段。本发明在不影响Si-Al合金的热膨胀系数、热导率和密度的前提下,有效地细化初晶硅尺寸并解决了其在Si-Al合金两相区加热保温时粗化的问题。该复合材料广泛适用于电讯、航空、航天、国防和其它相关工业电子元器件所需的新型封装或散热材料。

著录项

  • 公开/公告号CN103045926A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-04-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京科技大学;

    申请/专利号CN201210527903.6

  • 发明设计人 杨滨;卢毅;张磊;王西涛;

    申请日2012-12-10

  • 分类号C22C29/18(20060101);C22C1/02(20060101);

  • 代理机构11401 北京金智普华知识产权代理有限公司;

  • 代理人皋吉甫

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号

  • 入库时间 2023-06-18 08:32:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-08-13

    授权

    授权

  • 2013-05-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):C22C29/18 申请日:20121210

    实质审查的生效

  • 2013-04-17

    公开

    公开

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