基于硫属化物的材料和在真空下使用后硫属元素化技术制备这些材料的方法

摘要

本发明提供由一个或多个溅射前体膜(112)在基板(18)制备高质量CIGS光吸收组合物的方法。前体经由使用允许后硫属元素化处理在非典型的低压条件下进行的技术的硫属元素化处理(也称为“后硫属元素化”，包括，例如，当使用Se时的“后硒化”和/或当使用S时的“后硫化”)转化为CIGS光吸收材料。因此，本发明的方法可以容易地结合至分批方法或连续方法如在真空下进行的卷对卷方法中。本发明可用于实验室、试验工厂以及工业规模。前体膜(112)由第二层(114)如单质硫属元素使用蒸发覆盖，然后热处理，以形成硫属元素化层(20)。