一种III-V族半导体纳米线阵列场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种III-V族半导体纳米线阵列场效应晶体管，包括：单晶衬底层；在该单晶衬底层上形成的III-V半导体缓冲层；在该III-V半导体缓冲层上形成的第一欧姆接触层；在该第一欧姆接触层上形成的第一高迁移率半导体沟道层；在该第一高迁移率半导体沟道层上形成的第二欧姆接触层；在该第二欧姆接触层上形成的第二高迁移率半导体沟道层；在该第二高迁移率半导体沟道层上形成的第三欧姆接触层；在纳米尺度有源区选择性腐蚀掉第一欧姆接触层、第二欧姆接触层和第三欧姆接触层形成的III-V族半导体纳米线阵列；在该III-V半导体纳米线阵列上形成的环形高K介质和功函数金属层；以及在该高K介质和功函数金属层上形成的栅金属电极。