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一种改善光刻机对准精度的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种改善光刻机对准精度的方法。本发明提出一种改善光刻机对准精度的方法,通过在芯片完成光阻旋涂、烘烤工艺后,对准曝光工艺前,于该芯片上旋涂一层水溶性物质,以用来改变光对准工艺中整个介质的折射率,进而利用介质折射率的变化来调节对准光路的光程差,增强对准干涉光的强度,提高对准信号的信噪比,有效提高光刻对准的精度,提高产品的良率,降低生产成本。

著录项

  • 公开/公告号CN102967996A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-03-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201210435208.7

  • 申请日2012-11-02

  • 分类号G03F7/16;G03F9/00;G03F7/20;

  • 代理机构上海申新律师事务所;

  • 代理人竺路玲

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2024-02-19 17:28:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-03-25

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G03F7/16 申请公布日:20130313 申请日:20121102

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2013-04-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/16 申请日:20121102

    实质审查的生效

  • 2013-03-13

    公开

    公开

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