MOS晶体管、具有应力层的衬底及其形成方法

摘要

一种MOS晶体管、具有应力层的衬底及其形成方法，具有应力层的衬底的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成掩膜层，所述掩膜层具有凹槽和开口，所述凹槽对应第一类型的MOS晶体管源区区域和漏区区域，所述开口对应第二类型的MOS晶体管沟道区域；以所述掩膜层为掩膜对所述衬底进行离子注入，在第二类型的MOS晶体管沟道区域下方、在第一类型的MOS晶体管源区区域和漏区区域形成应力层。可以利用同一工艺，在衬底中形成张应力、压应力，避免现有技术中需要分别在衬底中形成张应力、压应力造成的工艺繁多，生产效率低的问题。