顶栅型有机薄膜晶体管、其制造方法和电子装置

摘要

本发明公开了顶栅型有机薄膜晶体管、其制造方法和电子装置，所述顶栅型有机薄膜晶体管包括：基板；通过使用镀膜技术在所述基板上沉积的第一层，所述第一层用于形成源极电极和漏极电极；由所述有机半导体材料构成的有机半导体层，所述有机半导体层被形成在各自都用所述第一层形成的所述源极电极与所述漏极电极之间的区域上方；以及栅极电极，所述栅极电极隔着栅极绝缘膜沉积在所述有机半导体层上。本发明公开的电子装置中设置有上述顶栅型有机薄膜晶体管。因此，本发明能够实现优良的器件特性和低的生产成本。