制造具有低温多晶硅的顶栅型薄膜晶体管的方法

摘要

本发明提供一种制造多晶硅薄膜晶体管的方法，该方法包括在基板上沉积非晶硅层，使非晶硅层结晶成多晶硅层，将多晶硅层制成一定图形使之形成薄膜晶体管的多晶硅有源层，在真空条件下，在多晶硅有源层上沉积氧化硅以形成栅极绝缘层，在真空条件下对栅极绝缘层进行加热使其退火并在退火的栅极绝缘层上形成栅极。