芍药无土栽培产业化盆花生产方法

摘要

本发明公开了一种芍药无土栽培产业化盆花生产方法，包括种苗选择及处理、栽培基质配制与消毒、配套施肥技术、促成栽培环境调控技术。使用该方法生产的芍药‘大富贵’盆花，产品在北京地区花期比大田花期提前50～60天，成品率达100%，每盆开花5枝以上，花径在12～15cm，株高为50～65cm，花色和花型正常，可以作为芍药‘大富贵’无土盆花产业化生产使用。

说明书

技术领域

本发明属于花卉无土栽培技术和花期调控技术领域，涉及芍药 无土栽培产业化盆花生产方法，具体涉及种苗选择、栽培基质、施肥 技术、环境调控技术。

背景技术

近年来，随着我国人民消费水平的不断提高，特别是大中型城 市中，对盆栽花卉种类的需求也越来越大。芍药（Paeonia lactiflora  Pall.）是处于产业化开发阶段的传统名花，具有深厚的历史文化内涵 和民族特色，其花大色艳，芳香馥郁，观赏价值高，极具盆花生产 的潜力。但由于受到其盆花栽培技术限制，目前仍多以露地观赏栽 培为主，从而也制约了芍药盆花市场的发展和产业化的实现。

目前国外芍药产业化栽培主要是露地切花生产，在自然花期提 供切花产品，未见盆栽技术方面的报道。国内芍药盆栽技术主要是 采用无土盆栽进行春节催花，在品种筛选、盆栽基质筛选、营养特 性及专用营养液研究有一定进展。目前，芍药种苗的选择和预处理 方法不一，并没有统一的操作规范，栽培的盆花品质不一，不利于 大规模设施化生产；芍药花期调控主要是通过催花栽培，在春节开 花，基本仿照牡丹催花的技术方法，针对芍药催花研究不多，且都 是小规模、多品种的无土栽培模式，芍药大规模、单一品种产业化 生产技术尚未建立。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种芍药无土栽培产业化盆花生产 方法。

经过长期的试验研究和验证后，本发明人提供了一种芍药品种 ‘大富贵’无土盆花产业化生产技术，包括种苗选择及处理、栽培基 质配制与消毒、配套施肥技术、促成栽培环境调控技术。详述如 下：

1）种苗的选择及处理：秋季地上器官枯萎后，挖取3～4年生分 株苗作为种苗，预处理及消毒处理后进行移栽；

2）栽培基质配制及消毒：按照草炭：蛭石：珍珠岩体积比3：1： 1混合作为无土栽培基质，进行化学消毒和高温消毒；

3）配套的施肥方法：将芍药生长阶段划分为6个时期，为萌芽 期、茎伸长期、茎叶生长期、成熟期、花期、花后期；萌芽期至茎伸 长期：施用N、P、K质量百分比分别为30%：10%：10%的的水溶 性复合肥，每个时期各施用一次，施肥浓度为1.5g/L，施肥量为1L/ 株·次；茎叶生长期至成熟期：施用N、P、K质量百分比分别为： 20%：20%：20%的水溶性复合肥，每个时期各施用两次，共施用4 次，施肥浓度为1.5g/L，施肥量为1L/株·次；花后期施用N、P、K 质量百分比分别为：15%：10%：30%的水溶性复合肥，前两个月每 20天施肥一次，施3次；之后，每40天施肥一次，施2次，地上器 官开始枯萎前再施肥一次，共施肥6次，施肥浓度为1.5g/L，施肥量 为1L/株·次；

4）促成栽培环境调控方法：

温度控制：芍药上盆后，放置于室外接受自然低温，待温度降 至0℃之后，保持温度在-4~4℃40-60天；如果室外温度低于-4℃时， 用草席覆盖于种植盆上以免植株受冻，或将盆移入温室，温室不加温， 使温度保持在-4~4℃40-60天；之后进行人工加温，加温第1～7天， 日温控制在10～15℃，夜温5～10℃；第8～17天，日温控制在15～ 20℃，夜温10～15℃；第18～35天，日温控制在20～25℃，夜温 10～15℃；第36～45天，日温控制在25～28℃，夜温保持于15℃； 第46～60天，未售出的产品，日温控制在20～25℃，夜温保持15～ 18℃；待室外平均温度稳定于25℃时，撤除温室塑料棚膜，或将盆 花移出温室，放于通风平坦开阔的地方；

光照控制：当芍药植株移入温室全部萌芽后，对其进行补光，使 植株顶部光照强度达到200μmol/m²s，补光时间为早上6：00点至8： 00点，晚上16：30至19:30；

水分及湿度控制：种苗上盆后浇水，之后保持基质湿润，加温催 花过程中，温室湿度控制在40-60%。

芍药生长阶段划分如下：

萌芽期识别特征：芍药地上芽芽鳞开裂，缓慢生长，叶片聚生 于枝顶，不外展。

茎伸长期识别特征：从芍药种苗茎快速生长，叶片开始外展， 至叶片基本平展、花蕾不被叶片包被结束。

茎叶生长期识别特征：从叶片基本平展开始，至花蕾快速膨大 结束。

成熟期（可销售期）识别特征：株高生长停止，花萼裂开，花蕾 外瓣松软。

花期识别特征为：从第一朵花花瓣完全展开至最后一朵花花瓣 凋谢。

花后期识别特征：全部花调谢后至地上器官完全枯萎为止。

在本发明一个实施方案中，所述的方法还可包括进行病虫害防 治，具体包括：

移栽的芍药移入温室前，先用600-1000倍70%的代森锰锌喷洒 温室，对温室进行消毒；

芍药进入茎伸长期和茎叶生长期时，用2000倍45%的咪鲜胺水 乳剂，1000倍液70%的代森锰锌，1000倍液40%施佳乐，1500倍 50%扑海因液交替喷洒，喷撒间隔为10～15天；

如果发现根腐病，则用1000倍70%的代森锰锌或1500～2000 倍45%的咪鲜胺水乳剂，与2000倍阿维菌素或1000倍50%的辛硫 磷交替灌根施用。

其中，种苗预处理包括：去除病、残根和部分生长过密的根，并 在伤口涂抹草木灰，同时去除干瘪、过小和生长过密的部分芽体，芽 数控制在10～12个。

其中，种苗消毒处理包括：用1000倍70%的代森锰锌和2000 倍阿维菌素的混合液浸泡15～20分钟；若发现种苗根部存在土传病 害，用1000倍70%的代森锰锌和1000倍50%的辛硫磷混合液浸泡 15～20分钟。

其中，基质化学消毒和高温消毒方法为：基质的各组分在掺混的 过程中同时喷洒1000倍70%的代森锰锌或1500～2000倍45%的咪 鲜胺水乳剂溶液对基质进行消毒；将混合好的基质用塑料薄膜覆盖， 晴天下堆放5～7天进行高温消毒。

其中，所述补光的方法为：按照温室植床的长轴走向，离植株盆 1.5米，每间距3米处安装一盏400瓦的高压钠灯。

在本发明优选的一个实施方案中，所述的芍药的品种为‘大富 贵’。

本发明有益效果：

本发明是建立在多年对芍药盆花无土栽培技术、花期调控技术 研究、生产环境控制技术、病虫害防治技术系统研究基础上，经过 了多轮试验种植和生产检验后提出的。使用该技术生产的‘大富贵’ 盆花，产品在北京地区花期比大田花期提前50～60天，成品率达 100%，每盆开花5枝以上，花径在12～15cm，株高为50～65cm,花 色和花型正常，可以作为芍药‘大富贵’无土盆花产业化生产使用。

1、本发明提出了统一、科学的种苗选择和种苗处理方法、将减 少后期盆花生长发病的概率、使盆花株型更加美观、产品规格更加 统一、品质更好。

2、本发明提出了一种适合‘大富贵’的盆花栽培基质，基质具有 较好的沥水性和透气性，保证了芍药根部良好的生长环境，同时有 一定的保温性，防止基质温度变动过大。

3、本发明提出了针对‘大富贵’盆花生产配套施肥技术、同施肥 相对应的施肥时期的划分和便于实际操作的不同时期的辨识图谱， 在实现芍药盆花栽培精准施肥的同时更便于操作，减少了肥水损 失，同时该方法在提高了盆花的产量和品质，实现不同生长阶段更 为科学的供肥。

4、本发明提出了针对‘大富贵’盆花促成生产的设施环境调控技 术，实现了温度、光照、水分的分阶段精细管理，同时摆脱了芍药 传统促成栽培中需要冷库进行低温处理的制约，在降低生产成本的 基础上提高了盆花促成栽培的产量和质量。

5、本发明针对‘大富贵’盆花促成生产的栽培中常见的病害提出 了有效的解决方案，该方案对预防病害、病害出现后的处理等均效 果显著，提高了促成栽培中盆花的产量和品质。

具体实施方法

以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

实施例1

2009年9月15日，将芍药盆栽用基质以草炭：蛭石：珍珠岩按 照体积比3:1:1混合均匀，基质混合的过程中同时喷洒1000倍70% 的代森锰锌对基质进行消毒。将混合好的基质堆放于室外开阔处， 用塑料薄膜覆盖，放置7天进行日光高温消毒。

2009年9月17日从大田取3～4年生芍药品种‘大富贵’种苗， 晾晒3天，同时去除干瘪、过小和部分生长过密的芽，芽数控制在 10～12个。去除腐、烂根和部分生长过密的根，将伤口涂抹草木 灰，用1000倍70%的代森锰锌和2000倍阿维菌素的混合液浸泡15～ 20分钟。

2009年9月21日～22日将准备好的‘大富贵’种苗上盆栽种于混 合好的专用基质中，盆上口径28cm，高30cm。并于栽种后浇1次透 水，整齐摆放于通风、开阔的室外空地，之后保持基质湿润即可。

2009年12月20日，室外温度已经降至-4℃后，为防止芍药冻 伤，将盆栽的芍药‘大富贵’移入温室，但温室内不加温，温度控制 在0℃（±4℃），移入温室后浇一遍透水。2010年1月20日温室内 开始逐步加温，初期（第1~7天），温室日温控制在10～15℃,夜温 5～10℃；前期（第8～17天），日温控制在1～20℃，夜温10～15 ℃；中期（第18～35天），日温控制在25℃左右，夜温10～15℃； 后期（即可售期，第36～50天）日温控制在25℃～30℃，夜温保持 于15℃左右。花期时（第46～60天），未售出的产品，可适当降低 温室温度，日温控制在20～25℃，夜温保持15～18℃；保持设施内 最高温度不超过30℃。

根据芍药品种‘大富贵’无土盆花产业化生产施肥时期的划分及 其标准图谱对其进行施肥：萌芽期至茎伸长期：施用N、P、K质量 百分含量为30%：10%：10%的水溶性复合肥每个时期各施用一次， 施肥浓度为1.5g/L，施肥量为1L/株·次；茎叶生长期至成熟期：施用 N、P、K质量百分含量为20%：20%：20%的水溶性复合肥，每个时 期各施用两次，共施用4次，施肥浓度为1.5g/L，施肥量为1L/ 株·次。

当芍药移入温室完全萌芽后（约进温室后15天）对温室内进行 补光。按照温室植床的长轴走向，离植株盆1.5米，每间距3米处安 装一盏400瓦的高压钠灯，植株顶部光照强度达到200μmol/m²s。补 光时间为早上6：00点至8：00点，晚上16：30至19:30。产品出售 后即可停止补光。

芍药移入温室前，先用600-1000倍70%的代森锰锌喷洒温室， 对温室进行消毒。芍药进入茎伸长期和茎叶生长期时，用2000倍 45%的咪鲜胺水乳剂，1000倍液70%的代森锰锌交替喷洒，各时期 喷撒一次。

基质干后浇水，1次浇透，温室内湿度保持在50%左右，直到产 品售出。

于2010年6月15日，将没有售出的盆花移出温室，放置于提前 撘好的遮光率为50%的遮阳网下，之后逐渐撤除遮阳网，使芍药充 分接受自然条件下的光照。没有售出的产品花后施用N、P、K质量 百分含量为15%：10%：30%的水溶性复合肥，前两个月每20天施 肥一次，约3次，之后每40天施肥一次，约2次，地上器官开始枯 萎前再施肥一次，共施肥6次，施肥浓度为1.5g/L，施肥量为1L/ 株·次。水分管理同前。9月中下旬将地上器官部分减去，保持基质 湿润即可。当年未售出的盆花可进行下一批次的盆花催花生产。

通过上述栽培方式生产的芍药品种‘大富贵’盆花，产品在北京 地区花期比大田花期提前50～60天，成品率达100%，每盆开花5 枝以上，最高可达10枝，花径在12～15cm，株高为50～65cm，花 色和花型正常。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领 域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以 做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。