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化合物半导体场效应晶体管栅极长度缩减

摘要

一种化合物半导体晶体管可包括沟道层。该化合物半导体晶体管还可以包括位于沟道层上的介电层。化合物半导体晶体管还可以包括栅极。栅极可包括穿过介电层且与沟道层电接触的垂直基部。栅极还可以包位于介电层上且电耦合至栅极的垂直基部的头部。

著录项

  • 公开/公告号CN110462789A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201880020347.9

  • 申请日2018-01-31

  • 分类号

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人张昊

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2024-02-19 16:16:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/285 申请日:20180131

    实质审查的生效

  • 2019-11-15

    公开

    公开

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