退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN110462789A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-15
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201880020347.9
发明设计人 杨斌;陶耿名;李夏;P·奇达姆巴拉姆;
申请日2018-01-31
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人张昊
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 16:16:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/285 申请日:20180131
实质审查的生效
2019-11-15
公开
机译: 具有t形栅极,亚微米栅极长度和可变的漏极到栅极间距的自对准场效应晶体管的制造方法
机译: 测量肖特基栅极场效应晶体管的有效栅极长度的模型和方法
机译: 一种场效应晶体管的制造方法,该场效应晶体管的栅极,特别是沟道和相应晶体管的长度被隔离。
机译:化合物半导体场效应晶体管的T形栅极光刻技术的发展
机译:化合物半导体场效应晶体管T形栅极光刻的演变
机译:肖特基栅极III–V化合物半导体量子阱场效应晶体管在电源电压(V CC inf>)范围为0.5v至1.0v时的逻辑性能评估和传输物理学
机译:用于计算机辅助设计的单栅极和双栅极微波场效应晶体管的建模。
机译:栅极长度与漏极-源极距离之比对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:具有亚微米特征长度的化合物半导体场效应晶体管中的速度过冲衰减机制
机译:栅极长度为0.8和0.2微米的特性In(x)Ga(1-x)as / In(0.52)al(0.48)as / Inp(0.53小于或等于x小于或等于0.70)调制 - 在低温下掺杂的场效应晶体管