使用两个源极测量单元的设备测量

摘要

一种测试环境包括：第一测量单元，连接到MOSFET设备的栅极；以及第二测量单元，连接到所述MOSFET设备的漏极。所述测试环境对于测试针对MOSFET设备的栅极电荷而言特别有用。在第一阶段中，利用电流驱动设备的栅极，同时利用恒定电压驱动漏极。随着所述MOSFET设备接通，所述第二测量单元从提供所述恒定电压切换到提供恒定电流到MOSFET的漏极，同时测量漏电压。模式的切换是自动的，且在没有用户干预的情况下发生。在所述MOSFET设备已经被栅电流驱动到VgsMax之后，所有相关数据被存储，可以分析该所有相关数据并在用户界面中将该所有相关数据呈现给用户，或者以其他方式呈现该所有相关数据。