公开/公告号CN110546733A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-06
原文格式PDF
申请/专利权人 马特森技术有限公司;北京屹唐半导体科技有限公司;
申请/专利号CN201880021289.1
申请日2018-03-27
分类号H01J37/32(20060101);
代理机构11313 北京市铸成律师事务所;
代理人杨阳;林蕾
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 15:57:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-31
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/32 申请日:20180327
实质审查的生效
2019-12-06
公开
公开
机译: 用于在半导体器件的制造中在工件衬底上沉积III-V半导体材料的系统,具有腔室和衬底支撑结构,在该腔室和衬底支撑结构上装载并通过检修门卸载工件衬底
机译: 一种在腔室中通过cvd在半导体晶片上沉积层的方法以及一种在腔室中通过cvd在半导体晶片上沉积层的腔室
机译: 工件处理系统,其通过基于各腔室特定的必要处理时间和各腔室之间的必要输送时间,通过设定各处理室中的处理开始时间,来依次执行各处理室中的工件的处理。