退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN110611028A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-24
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201910401475.4
发明设计人 A·史密斯;J·布罗克曼;T·拉赫曼;D·韦莱特;安德鲁·史密斯;J·A·维纳斯科;J·奥丹尼尔;C·维甘德;O·戈隆茨卡;
申请日2019-05-15
分类号
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人林金朝
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2024-02-19 15:57:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-24
公开
机译: 具有具有垂直磁各向异性的叠层自由层的自旋转移矩隧穿磁阻器件
机译: 提供一种使用牺牲插入层的可用于自旋转移矩磁性器件的垂直磁性各向异性磁结的方法
机译:嵌入式应用中具有高自旋扭矩效率和热稳定性的垂直自旋转移扭矩磁性随机存取存储器(已邀请)
机译:具有Gd-Fe自由层和Ag-spacer材料的电流垂直于平面的巨型磁阻器件的自旋转移开关,用于光调制器应用
机译:具有透明顶电极的自旋转移开关驱动垂直磁各向异性的CPP-GMR器件的磁光观测
机译:具有垂直磁化的自旋偏振器的纳米柱中的自旋转移
机译:具有垂直磁各向异性的磁阻器件,用于自旋转矩驱动的应用。
机译:在具有垂直磁各向异性和Dzyaloshinskii–Moriya相互作用的材料中由自旋转移力矩驱动的拓扑非拓扑和瞬时液滴
机译:具有垂直各向异性的Co / Pd基自旋阀的物理和磁性能,用于自旋电子器件
机译:三重 - 三重能量转移中自旋方向的保持与自旋对准的产生。