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双重间隔物浸没式光刻三重图案化流程和方法

摘要

描述了一种用于制造金属图案的系统和方法。在第一多晶硅层上形成多个心轴,所述第一多晶硅层在第一氧化物层的顶部上。每个心轴在第一氮化物的顶部上使用第二多晶硅。在所述心轴的侧壁上形成间隔物氧化物和间隔物氮化物以形成双重间隔物。沉积第二氧化物层,随后去除层直到到达所述心轴中的所述第一氮化物为止。基于多种可用方法中的选定方法来蚀刻区域,直到蚀刻所述第一氧化物层从而提供用于所述金属图案的沟槽为止。去除所述第一氧化物层上的剩余材料,随后将金属沉积在所述第一氧化物层中的所述沟槽中。

著录项

  • 公开/公告号CN110582837A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-12-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 超威半导体公司;

    申请/专利号CN201880029134.2

  • 发明设计人 理查德·T·舒尔茨;

    申请日2018-04-27

  • 分类号

  • 代理机构上海胜康律师事务所;

  • 代理人李献忠

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2024-02-19 15:57:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/033 申请日:20180427

    实质审查的生效

  • 2019-12-17

    公开

    公开

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