半导体结构、高电子迁移率晶体管及半导体结构制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体结构、高电子迁移率晶体管及半导体结构制造方法，半导体结构包含基底、可流动介电材料以及氮化镓系(GaN‑based)半导体层。基底具有坑洞(pit)从该基底的上表面暴露出来，可流动介电材料填满坑洞，并且氮化镓系半导体层设置在基底和可流动介电材料之上。本发明可以提升半导体装置的制造良品率，并降低工艺成本。