aluminium compounds; gallium compounds; III-V semiconductors; wide band gap semiconductors; laser materials processing; molecular beam epitaxial growth; high electron mobility transistors; semiconductor device reliability; semiconductor heterojunctions;
机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:AlN成核层生长条件对分子束外延(MBE)生长的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中缓冲液泄漏的影响
机译:等离子体辅助分子束外延生长高电子迁移率晶体管的4H-SiC(0001)上GaN缓冲层的结构特性
机译:化合物半导体缓冲层和ALN的激光辅助分子束外延(LAMBE),高电子迁移率晶体管的GaN结构
机译:通过射频等离子体辅助分子束外延生长(铟,铝)氮化镓合金,以用于高电子迁移率晶体管结构。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:RF等离子体辅助分子束外延在中温GaN缓冲层上生长的高迁移率GaN外延层
机译:分子束外延生长的alGaN / GaN高电子迁移率晶体管中陷阱的光电离光谱;杂志文章