氧化层缺陷现象风险评估测试键及利用其的测试方法

摘要

本发明涉及氧化层缺陷现象风险评估测试键及利用其的测试方法，涉及半导体集成电路可靠性测试，通过在氧化层缺陷现象风险评估测试键中设置多个测试结构，每个测试结构的栅极区由多个子栅极区按矩阵排列构成，因此可通过设置栅极区中子栅极区的个数得到不同面积的栅极区，再配合外围的金属线和二极管，可实现对尺寸不同的测试结构同时进行栅氧层缺陷风险评估，从而减少常规测结构的数量以及测试时间。