背照式图像传感器晶圆边缘无硅膜缺陷的工艺制程方法

摘要

本发明公开了一种背照式图像传感器晶圆边缘无硅膜缺陷的工艺制程方法，属于半导体制造领域，该方法通过将一片带有图像传感器的晶圆A和另一片承载晶圆B在常温常压下键合；键合后，使用机械磨边工艺去除两片晶圆边缘键合力弱的硅膜；键合后晶圆A机械减薄到规定厚度15μm‑40μm，显微镜宏观检查，背照式图像传感器边缘无硅膜破损问题发生。本发明在不增加工艺制造成本的同时，实现背照式图像传感器晶圆在机械研磨减薄对硅膜零损伤的可能性。