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一种实现PN结整流特性的结构

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摘要

本发明提供一种实现PN结整流特性的结构，包括：衬底、以及从所述衬底向上依次排列的第一n‑GaN层、第一InGaN量子阱层、第一GaN层、AlGaN势垒层、第二GaN层、第二InGaN量子阱层和第二n‑GaN层。本发明的结构能够实现良好的整流特性。

1. 一种实现PN结整流特性的结构 [P] . 中国专利： CN110391291A . 2019-10-29
2. 一种具有自旋整流特性的ZnO基磁性pn结及其制备方法 [P] . 中国专利： CN104241335A . 2014-12-24
3. PIN alloy-semiconductor, radiation detectors with rectifying junction contacts, methods and systems for forming PIN alloy-semiconductor devices with rectifying junction contacts, and systems and methods for analyzing alloy-semiconductor properties [P] . 美国专利： US2004185672A1 . 2004-09-23

机译： PIN合金半导体，具有整流结触点的辐射探测器，形成具有整流结触点的PIN合金半导体器件的方法和系统以及用于分析合金半导体特性的系统和方法
4. Rectifier assembly comprising series stacked pn-junction rectifiers [P] . 美国专利： US3264531A . 1966-08-02

机译：整流器组件，包括串联堆叠的pn结整流器
5. BIO-INSPIRED NANOSTRUCTURES FOR IMPLEMENTING VERTICAL PN-JUNCTIONS [P] . 世界知识产权组织专利： WO2011092601A3 . 2011-11-10

机译：用于实现垂直PN结的生物启发式纳米结构