一种超级电容器芯片的制备方法、超级电容器芯片及超级电容器

摘要

本发明提供一种超级电容器芯片的制备方法、超级电容器芯片及超级电容器，其提供一具有导电线路的衬底；在所述衬底上形成两个独立设置的集流体，每个所述集流体电连接至衬底的导电线路之上；在其中一所述集流体上制备正电极，在另一所述集流体上制备负电极，并在正电极与负电极之间形成固态/准固态电解质膜，得到多层膜；将所述多层膜用封装膜进行封装保护，得到超级电容器芯片。利用上述方法制备得出的超级电容器芯片集成超级电容器后能够满足大电流或大电压的使用需求。