TOPCon电池表面钝化设备及钝化方法

摘要

本发明公开了一种TOPCon电池表面钝化设备及钝化方法，所述TOPCon电池表面钝化设备至少包括多功能PECVD，多功能PECVD对硅片的背面镀氧化硅膜、非晶硅层以及对非晶硅层的原位掺杂，对应的反应温度是400～600℃，所述多功能PECVD自带升降温功能或者位于多功能PECVD工序之后的退火炉将镀膜后的硅片加热至600℃以上，使非晶硅层转化为多晶硅层，然后降温至400～600℃。本发明利用多功能PECVD自带升降温功能或者多功能PECVD+退火炉升降温的工艺代替现有的LPCVD+清洗刻蚀的工艺，实现对硅片背面的单独沉积，多功能PECVD在沉积时不会对硅片的正面发生作用，解决了现有技术中对硅片正面的“先镀后洗再镀”的弊端，省去清洗刻蚀工序，降低由此引起对硅片正面镀膜的不利影响。