RRAM存储单元的制备方法及RRAM存储单元

摘要

本发明提供一种RRAM存储单元的制备方法及RRAM存储单元。所述方法包括：在衬底上从下至上依次形成底电极层、阻变层、顶电极层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；图形化第二硬掩膜层，依次刻蚀第二硬掩膜层及第一硬掩膜层，并去除剩余的第二硬掩膜层；以剩余的第一硬掩膜层为硬掩膜，刻蚀顶电极层；沉积第一介质层；刻蚀覆盖于阻变层露出的表面的第一介质层及其垂直下方位置的阻变层和底电极层，并刻蚀覆盖于剩余的第一硬掩膜层的表面的第一介质层；去除剩余的第一硬掩膜层，以形成一预制器件；对预制器件完成剩余互连工艺。本发明能够消除RRAM存储单元阻变层边缘损伤的影响，提高器件的可靠性。