半导体表面消除内应力的方法

摘要

本发明的半导体表面消除内应力的方法，包括：将半导体的第一表面粘接在固定板上；在半导体的第二表面覆盖保护膜，所述第二表面与所述第一表面相对；对粘接有所述半导体的所述固定板的背面进行离子刻蚀，其中所述离子刻蚀包括两次不同条件的离子刻蚀工序；以及去除所述第二表面上的所述保护膜。其可将半导体在切割、研磨工艺中产生的变形、内应力消除，从而保证后续工艺的效果。