半导体表面性质的表面光伏表征方法及表面态的真空敏感机理研究

摘要

半导体的表面光伏效应及相关领域的研究是一个发展了较长时期的研究领域，但是在使用该方法测量半导体表面参数方面仍然报导的较少。本文提出了一套系统的半导体表面参数的表面光伏表征方法，采用该方法可以方便地测量半导体的少子扩散长度、少子寿命、表面光电流密度、表面势垒高度、表面势垒宽度、表面复合速度、势垒边界处的少子浓度、表面态密度、表面态对光生载流子的俘获截面以及表面态的光离化截面等表面参数。而且该方法所涉及的实验条件较容易满足，对样品也不会产生破坏。 本文还对n型和p型硅单晶样品在氧气和氮气氛围下表面态与氛围气体的电荷转移情况进行了研究，并给出了氧气从硅的表面态夺取电子而氮气向表面态提供电子的实验证...