一种半导体消除内应力的方法

摘要

本发明提供了一种半导体消除内应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)将半导体元件的一面固定在陶瓷板的内表面上，并在半导体元件的另一面覆盖保护膜；(2)对陶瓷板的外表面进行第一次热处理，使陶瓷板的外表面经过10～30分钟升温至130～160℃；然后，对陶瓷板的外表面进行第二次热处理，使陶瓷板的外表面经过5～10分钟升温至190～210℃；(3)对步骤(2)中的陶瓷板外表面进行降温，降温速度为3～7℃/min，至陶瓷板外表面的温度降至常温；(4)去除半导体元件表面覆盖的保护膜。本发明的方法在陶瓷板的背面进行热处理，正面的半导体的内应力得到了降低或者消除的效果，本发明的方法可以和制备半导体的工艺联用，在短时间内大批处理半导体元件，提高了生产效率。