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半导体装置、半导体装置组合件及形成半导体装置组合件的方法

摘要

一种半导体装置、半导体装置组合件以及形成包含水分不可渗透层的半导体装置组合件的方法。所述组合件包含第一衬底及电连接到所述第一衬底的表面的第二衬底。所述组合件包含在所述两个衬底之间的层,其中所述水分不可渗透层在所述层与所述第一衬底的所述表面之间。所述层可为非导电膜、裸片附接膜、毛细管底部填充物及类似物。所述第一衬底的所述表面的一部分可包含在所述水分不可渗透层与所述第一衬底之间的焊接掩模。所述水分不可渗透层防止或至少抑制所述第一衬底内的水分以免可能在所述层中产生空隙。所述水分不可渗透层可为聚酰亚胺、聚酰亚胺类材料、环氧树脂、环氧丙烯酸酯、聚对二甲苯、乙烯基三乙氧基硅烷或其组合。所述水分不可渗透层可具有高电阻。

著录项

  • 公开/公告号CN110164778A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN201910118083.7

  • 申请日2019-02-15

  • 分类号H01L21/56(20060101);H01L23/28(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王龙

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2024-02-19 14:03:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/56 申请日:20190215

    实质审查的生效

  • 2019-08-23

    公开

    公开

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