紫外光LED芯片制造方法以及紫外光LED芯片

摘要

本发明提供了一种紫外光LED芯片制造方法以及紫外光LED芯片，包括：步骤一、提供一衬底，在衬底上依次外延生长N‑AlGaN结构、量子阱和P‑AlGaN结构，形成一紫外光LED芯片；步骤二、外延生长完成后，在紫外光LED芯片上进行光刻和刻蚀，以将部分N‑AlGaN结构暴露出来；步骤三、制备单层或多层石墨烯薄膜，将石墨烯薄膜转移到紫外光LED芯片表面；对紫外光LED芯片进行光刻和刻蚀，以在紫外光LED芯片表面的特定区域保留石墨烯薄膜，去除其他区域的石墨烯薄膜；步骤四、采用光刻的方法制作电极图形，利用电子束蒸发设备将紫外光LED芯片的表面的开孔区域蒸镀上P电极和N电极；步骤五、将紫外光LED芯片的背面的衬底进行研磨，将石墨烯薄膜转移到紫外光LED芯片的背面的衬底上。