一种p型二维合金化合物半导体光电场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种p型二维合金化合物半导体光电场效应晶体管及其制备方法。所述晶体管依次有低阻Si、SiO2绝缘层、SnSxO1‑x(0xO1‑x陶瓷靶材，使SnSxO1‑x沉积到Si/SiO2衬底上，经退火后镀上Ti/Au电极。本发明利用SnO和SnS相似的机体结构，向SnO中混入一定成分的SnS，可以抑制亚稳相SnO转变为SnO2，提高p型SnSxO1‑x合金化合物的稳定性，从而提高SnSxO1‑x基场效应晶体管的热处理温度，抑制SnSxO1‑x沟道中的关态电流，提高场效应晶体管的开关比及整体性能，并且通过调控SnO与SnS的比列可以获得不同禁带宽度的SnSxO1‑x合金化合物半导体，可应用于不同波段的光电探测器。本发明对p型二维光电场效应晶体管以及化合物半导体微纳器件的发展具有重要意义。