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氢阻隔剂、氢阻隔膜形成用组合物、氢阻隔膜、氢阻隔膜的制造方法、及电子元件

摘要

本发明涉及氢阻隔剂、氢阻隔膜形成用组合物、氢阻隔膜、氢阻隔膜的制造方法、及电子元件。本发明的课题在于提供能向各种材料赋予氢阻隔性能的氢阻隔剂、包含该氢阻隔剂的氢阻隔膜形成用组合物、包含前述的氢阻隔剂的氢阻隔膜、使用了前述的氢阻隔膜形成用组合物的氢阻隔膜的制造方法、和具备氢阻隔膜的电子元件。使用具有咪唑基的特定结构的盐化合物作为氢阻隔剂。另外,将前述的氢阻隔剂配合至基材成分中,制备氢阻隔膜形成用组合物。进而,使用前述的氢阻隔膜形成用组合物,形成氢阻隔膜。

著录项

  • 公开/公告号CN110317174A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-10-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东京应化工业株式会社;

    申请/专利号CN201910242189.8

  • 申请日2019-03-27

  • 分类号C07D233/60(20060101);C07D487/04(20060101);C07F9/22(20060101);G03F7/004(20060101);G03F7/027(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人杨宏军;李国卿

  • 地址 日本神奈川县

  • 入库时间 2024-02-19 13:22:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-11

    公开

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