p型半导体金属氧化物掺杂有序介孔氧化钨气敏材料及其制备方法

摘要

本发明属于先进纳米材料技术领域，具体为p型半导体金属氧化物掺杂有序介孔氧化钨气敏材料及其制备方法。本发明是通过溶胶‑凝胶化学合成法，以两亲性嵌段共聚物作为结构导向剂，亲水嵌段通过氢键以及配位作用与p型半导体过渡金属氧化物及氧化钨前驱物种在溶液中进行组装，经过溶剂挥发诱导共组装以及高温热处理，得到p型半导体金属氧化物掺杂的有序介孔氧化钨材料。该材料具有高度有序的介孔结构，高的比表面积和较大的孔径，其独特的介孔结构以及p‑n半导体异质结的作用，可用于制备的气体传感器，对硫化氢气体具有极好的灵敏度和选择性，超快的响应和恢复时间。本发明方法简单可控，适于放大生产，在气体传感领域具有广阔应用前景。