公开/公告号CN110112172A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-09
原文格式PDF
申请/专利权人 南京大学;
申请/专利号CN201910428357.2
申请日2019-05-22
分类号H01L27/15(20060101);H01L33/12(20100101);H01L33/32(20100101);H01L33/06(20100101);B82Y30/00(20110101);
代理机构32332 江苏斐多律师事务所;
代理人张佳妮
地址 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号
入库时间 2024-02-19 12:50:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-03
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/15 申请日:20190522
实质审查的生效
2019-08-09
公开
公开
机译: 基于深硅刻蚀模板量子点转移过程的微全色QLED阵列器件及其制备方法
机译: 氮化镓3维(3D)结构,氮化镓3维(3D)阵列,使用具有平面表面的3维氮化镓柱结构和发光表面(LED)制造发光二极管(LED)的方法具有平面的三维氮化镓柱结构
机译: -iii-氮化物-半导体晶体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体,发光器件由基于氮化镓的化合物半导体和使用的光源,发光半导体器件