Erste Gallium-Nitrid-LED-Chips auf Silizium im Pilotstatus

摘要

Forschern von Osram Opto Semi-conductors ist es gelungen, leistungsfähige Prototypen blauer und weißer LED herzustellen, bei der die lichtemittierenden Gallium-Nitrid-Schichten (GaN) auf Silizium-Scheiben mit einem Durchmesser von 150 mm gewachsen wurden. Das Silizium ersetzt ohne Qualitätsverlust Saphir-Substrate. Die LED-Chips sind im Pilotstatus und werden unter realen Bedingungen getestet.